單項選擇題在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中,硅氧四面體之間只能以()相連,否則結(jié)構(gòu)不穩(wěn)
A.共頂方式
B.共棱方式
C.共面方式
D.其它
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1.單項選擇題玻璃制品的退火制度不包括()。
A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
2.單項選擇題池窯的工藝制度中不包括()。
A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
3.單項選擇題影響耐火材料侵蝕介質(zhì)的種類沒有下面的哪一種()。
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
4.單項選擇題按照水和物料結(jié)合的強弱,物料中的水分可以分為三類,其中不包括()。
A、化學結(jié)合水
B、物理化學結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機械結(jié)合水
5.單項選擇題壓制法成型有三種加壓方式,其中不包括下面的哪一種()。
A、單面加壓
B、雙面同時加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
最新試題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題