單項選擇題玻璃網絡外體的單鍵能一般小于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
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1.單項選擇題下列制品中,不是利用玻璃分相或析晶等原理制造的是:()
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
2.單項選擇題玻璃配合料的均勻度一般要求大于()
A、85%
B、90%
C、95%
D、98%
3.單項選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括()
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
4.單項選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
5.單項選擇題下列氧化物中,加入過量會使玻璃的料性變短的是()
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
PN結的基本特性是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題