A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
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A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學穩(wěn)定性高。
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
A、鋼化玻璃
B、微晶玻璃
C、多孔玻璃
D、高硅氧玻璃
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();