A、2
B、3
C、4
D、5
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
A、濃酸對(duì)玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對(duì)玻璃的侵蝕實(shí)質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對(duì)玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學(xué)穩(wěn)定性高。
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.極性共價(jià)鍵
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列是晶體的是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()