單項選擇題多晶材料在高溫時，在恒定應力作用下，由于形變不斷增加而導致斷裂稱為（）
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴展斷裂
D、應力斷裂
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1.單項選擇題絕大部分硫酸鹽對于硬化水泥漿體都有顯著的侵蝕作用，只有（）除外
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
2.單項選擇題水泥強度是硬化水泥石能承受外力破壞的能力，根據(jù)受力形式不同可分三種，（）除外。
A、剪切強度
B、抗壓強度
C、抗拉強度
D、抗折強度
3.單項選擇題水泥體積安定性直接反應水泥質(zhì)量的好壞，（）不是影響安定性的主要因素。
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
4.單項選擇題（）是指水泥的一種不正常的早期固化或過早變硬現(xiàn)象。在水泥用水拌和的幾分鐘內(nèi)物料就顯示凝結(jié)，攪拌后又可恢復可塑性。
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
5.單項選擇題水在水泥水化以及水泥漿體形成過程中起著重要作用。按其與固相組成的作用情況，可以分以下幾種類型，（）除外
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題