單項(xiàng)選擇題復(fù)合材料的()是其區(qū)別于傳統(tǒng)材料的根本特點(diǎn)之一

A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計(jì)性


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1.單項(xiàng)選擇題材料開(kāi)發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——()

A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料

2.單項(xiàng)選擇題()是指對(duì)環(huán)境具有可感知,可自應(yīng)并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料

A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料

4.單項(xiàng)選擇題()用于成型大型的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的薄壁制品。

A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法

最新試題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題