單項選擇題()用于成型大型的結(jié)構(gòu)復雜的薄壁制品。
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
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1.單項選擇題()階段水解反應很慢,又稱靜止期或潛伏期。一般維持2~4小時,是硅酸鹽水泥能在幾小時內(nèi)保持塑性的原因。
A、誘導期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
2.單項選擇題影響玻璃折射率的因素主要有三個,但不包括()。
A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長的影響
3.單項選擇題玻璃的折射率隨入射光波長的變化而變化的現(xiàn)象即為玻璃的()
A、色散
B、反射
C、吸收
D、透過
4.單項選擇題提高水泥抗蝕性的措施有三種,()除外
A、調(diào)整水泥熟料的礦物組成
B、在水泥中摻混合材
C、提高混凝土致密度
D、提高硬度
5.單項選擇題多晶材料在高溫時,在恒定應力作用下,由于形變不斷增加而導致斷裂稱為()
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴展斷裂
D、應力斷裂
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題