問(wèn)答題陶瓷廠在采用注漿成型時(shí)，對(duì)坯料有何要求？

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表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題