單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中，一般電壓表的指示值是（）。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
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1.單項(xiàng)選擇題電容量的單位符號(hào)是（）。
A、C
B、F
C、S
D、T
2.單項(xiàng)選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關(guān)系是（）。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題