單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越(),鈍化效果越(),少數(shù)載流子壽命增加越()
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
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1.單項選擇題在我國通常稱為工業(yè)硅或冶金級硅含量在()以上。
A.90%
B.92%
C.95%
D.97%
2.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是()
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
3.單項選擇題下列是晶體的是()
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
4.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
5.單項選擇題硅單質(zhì)是()
A、半導體
B、導體
C、絕緣體
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
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題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題