單項選擇題硅片制備主要工藝流程是（）

A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包


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2.單項選擇題在工業(yè)生產(chǎn)中廣泛用的是（）

A.化學(xué)清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗

3.單項選擇題對于鑄造多晶硅氧濃度越（），鈍化效果越（），少數(shù)載流子壽命增加越（）

A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多

5.單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）

A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長