A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
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A.調整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結晶潛熱使界面趨于平坦
C.調整晶體或者坩堝的轉速,調整高溫液流的增減
D.增大坩堝內徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
A.化學清洗
B.rCA清洗
C.超聲波清洗
A.低,好,多
B.低,好,少
C.低,差,多
D.高,好,多
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
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下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()