單項(xiàng)選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于


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2.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)

3.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞

4.單項(xiàng)選擇題正確的框圖簡(jiǎn)要說(shuō)明硅片制備主要工藝流程是（）

A、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
B、單晶生長(zhǎng)→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→打包
C、單晶生長(zhǎng)→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測(cè)→打包
D、單晶生長(zhǎng)→整形→蝕刻→拋光→硅片檢測(cè)→切片→晶片研磨及磨邊→打包