A、3
B、5
C、4
D、2
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A、1234
B、123
C、1456
D、4567
A、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→等徑生長—→尾部生長
B、加料—→熔化—→縮頸生長—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
C、加料—→縮頸生長—→熔化—→放肩生長—→尾部生長—→等徑生長
D、加料—→放肩生長—→縮頸生長—→熔化—→尾部生長—→等徑生長
A.調(diào)整晶體生長的熱系統(tǒng),使熱場的徑向溫度梯度增大
B.調(diào)節(jié)拉晶的運行參數(shù),例如對于凸向熔體的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用結(jié)晶潛熱使界面趨于平坦
C.調(diào)整晶體或者坩堝的轉(zhuǎn)速,調(diào)整高溫液流的增減
D.增大坩堝內(nèi)徑與晶體直徑的比值
A.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
B.單晶生長→切片→整形→晶片研磨及磨邊→蝕刻→拋光→硅片檢測→打包
C.單晶生長→整形→切片→蝕刻→晶片研磨及磨邊→拋光→硅片檢測→打包
D.單晶生長→整形→切片→晶片研磨及磨邊→拋光→蝕刻→硅片檢測→打包
A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
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與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();