在氣相外延生長過程中，有兩步： 質(zhì)量輸運過程－－反應劑輸運到襯底表面 表面反應過程－－在襯底表面發(fā)生化學反應釋放出硅原子
最新試題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
鳥嘴效應造成的不良影響有（）。
常壓的硅外延方法有（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
