單項(xiàng)選擇題厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
A.有機(jī)物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題典型的薄膜生長(zhǎng)工藝一般采用物理氣相淀積法進(jìn)行,以下不屬于物理氣相淀積工藝的為()。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學(xué)鍍
D.電鍍
2.多項(xiàng)選擇題鑒定加速試驗(yàn)中,溫度相關(guān)的試驗(yàn)包括()。
A.恒溫試驗(yàn)
B.功率溫度組合循環(huán)試驗(yàn)
C.溫度循環(huán)試驗(yàn)
D.熱沖擊試驗(yàn)
3.單項(xiàng)選擇題溫度循環(huán)試驗(yàn)是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化,溫度變化的速率是()。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
4.多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測(cè)試包括功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試,以下屬于電學(xué)測(cè)試的為()。
A.電流
B.電場(chǎng)強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗
5.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法,屬于破壞性測(cè)試的為()。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測(cè)
D.紅外光譜分析
最新試題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題