單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術
D.以上都是
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1.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
2.多項選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
3.單項選擇題厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
A.有機物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
4.單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學鍍
D.電鍍
5.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗