多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用()。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
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1.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有()。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
2.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
3.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
4.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
5.多項(xiàng)選擇題新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無(wú)磨粒CMP技術(shù)
C.無(wú)應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
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消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
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芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
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多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
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光刻工藝的設(shè)備核心是()。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題