單項(xiàng)選擇題光刻要求晶圓片表面存在的圖案與掩膜版上的圖形對(duì)準(zhǔn),此特性指標(biāo)稱為()。
A.套準(zhǔn)精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工藝寬容度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題
晶圓加工的基本流程順序?yàn)椋ǎ?br/>(1)切片
(2)外形整理
(3)研磨
(4)倒角
(5)清洗
(6)拋光
A.(1)(2)(3)(4)(5)(6)
B.(2)(1)(4)(3)(6)(5)
C.(1)(2)(4)(3)(5)(6)
D.(2)(1)(3)(4)(6)(5)
2.單項(xiàng)選擇題下面哪種方式也稱為濕法去膠?()
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
3.單項(xiàng)選擇題
下圖屬于什么光刻機(jī)?()
A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于0.25um及以下的隔離技術(shù)采用以下()方式。
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
5.單項(xiàng)選擇題WCVD工藝第一步是()。
A.浸潤(rùn)
B.成核
C.BULK
D.直接反應(yīng)
最新試題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題