最新試題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
晶體管正常使用過程中,處于正偏的PN結是()結,處于反偏的PN結是()結。
題型:填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是()年。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題