名詞解釋受激輻射
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最新試題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題