名詞解釋冶金
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最新試題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題