名詞解釋電容電荷存儲時間
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n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個極,()個區(qū),()個PN結(jié)。
題型:填空題
實際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型:判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
題型:判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題