問(wèn)答題IIH/IIL集體測(cè)試法優(yōu)缺點(diǎn)。
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最新試題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征吸收
題型：名詞解釋
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
題型：判斷題
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
硅中常見(jiàn)的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
題型：判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題