判斷題通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
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1.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
2.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
5.名詞解釋等離子體
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通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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