問答題模擬電路的測試
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GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
題型:單項(xiàng)選擇題
本征光電導(dǎo)
題型:名詞解釋
激活劑
題型:名詞解釋
AlAs的禁帶寬度比GaAs大,晶格常數(shù)也更大。
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MBE只能用于III-V族化合物的生長。
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陰極射線致發(fā)光
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異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
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平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級是相等的。
題型:判斷題
MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過()極電壓來控制()極和()極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型:單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型:判斷題