問(wèn)答題電解電容器的結(jié)構(gòu)特性。
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最新試題
一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
非本征光電導(dǎo)
題型：名詞解釋
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
陰極射線致發(fā)光
題型：名詞解釋
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒(méi)有要求。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型：判斷題