判斷題TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。
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2.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對(duì)光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
3.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
猝滅劑
題型：名詞解釋
AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。
題型：判斷題
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
題型：判斷題
所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。
題型：判斷題
半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。
題型：判斷題
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。
題型：判斷題