當T升高或光線照射時，產(chǎn)生自由電子空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。
電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。
是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件，當某種物質(zhì)受到光照時，載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率，這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低，是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
最新試題
光電探測器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
本征光電導(dǎo)
陰極射線致發(fā)光
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
非本征光電導(dǎo)
猝滅劑
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費米能級是相等的。
內(nèi)光電效應(yīng)