問(wèn)答題列出邏輯模擬中的主要延遲模型,并給出簡(jiǎn)單說(shuō)明。
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最新試題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題