單項(xiàng)選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
2.多項(xiàng)選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
3.多項(xiàng)選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
4.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
5.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
最新試題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題