單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
2.單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
4.多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
5.多項(xiàng)選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
最新試題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題