名詞解釋擴(kuò)散的宏觀機(jī)制
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晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。
題型：多項(xiàng)選擇題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題