名詞解釋預(yù)淀積
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什么是MOS器件的體效應(yīng)？
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在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
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什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
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說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
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