最新試題

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。

題型:多項(xiàng)選擇題

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?

題型:?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。

題型:多項(xiàng)選擇題

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型:?jiǎn)柎痤}

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。

題型:?jiǎn)柎痤}

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。

題型:多項(xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。

題型:?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題