名詞解釋分子束外延(MBE)
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試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:?jiǎn)柎痤}
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是電阻率?它的單位是什么(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:?jiǎn)柎痤}
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型:?jiǎn)柎痤}
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型:多項(xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程,稱(chēng)作()。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}