單項(xiàng)選擇題關(guān)于PN結(jié)半導(dǎo)體探測(cè)器，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無(wú)關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無(wú)關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于半導(dǎo)體作為探測(cè)器介質(zhì)的物理性能，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A.平均電離能比閃爍體探測(cè)器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會(huì)大大降低半導(dǎo)體的電阻率

2.單項(xiàng)選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導(dǎo)體探測(cè)器的關(guān)鍵？（）

A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
C.低的電阻率，長(zhǎng)的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命

4.單項(xiàng)選擇題與氣體探測(cè)器相比，下列哪一項(xiàng)不是半導(dǎo)體探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)？（）

A.能量分辨率好
B.對(duì)γ射線的探測(cè)效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷

5.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)不是閃爍探測(cè)器必備的構(gòu)成部分？（）

A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器