單項選擇題關(guān)于鋰的漂移特性及P-I-N結(jié)形成，下列說法錯誤的是（）。

A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測器的唯一可用離子
C.基體用N型半導體


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你可能感興趣的試題

1.單項選擇題PN結(jié)半導體探測器通常采用哪種前置放大器？（）

A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器

2.單項選擇題關(guān)于PN結(jié)半導體探測器，下列說法正確的是（）。

A.結(jié)區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加

3.單項選擇題關(guān)于半導體作為探測器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯誤的是（）。

A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率

4.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關(guān)鍵？（）

A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命