問答題采用提拉法(CZ法,切克勞斯基法)和區(qū)熔法制備的硅片,哪種方法質(zhì)量更高,為什么?那么目前8英寸以上的硅片,經(jīng)常選擇哪種方式制備,為什么?
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MOS場效應管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
BiCMOS技術就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。
題型:多項選擇題
從設計的觀點出發(fā),版圖設計規(guī)則應包括哪些部分?
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
設計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
MOS器件存在哪些二階效應?
題型:問答題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:問答題