問答題為什么柵介質(zhì)層的厚度減少有一個(gè)大致的極限？為什么現(xiàn)在需要高K值（介電常數(shù)）的柵介質(zhì)？低K介質(zhì)用在什么地方？為什么？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型：多項(xiàng)選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。
題型：多項(xiàng)選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：問答題
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題