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問答題在大規(guī)模集成電路中，閂鎖效應(yīng)來自于MOS器件有源區(qū)PN結(jié)與襯底之間寄生的雙極性晶體管。請舉出3種微電子工藝中利用離子注入或別的手段抑制或消除閂鎖效應(yīng)的方法。

1.問答題比較投影掩模版和光學(xué)掩模版有何異同？說明采用什么技術(shù)形成投影掩模版上的圖形？

2.問答題為什么硅片熱氧化結(jié)束時通常還要進(jìn)行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

3.問答題采用提拉法（CZ法，切克勞斯基法）和區(qū)熔法制備的硅片，哪種方法質(zhì)量更高，為什么？那么目前8英寸以上的硅片，經(jīng)常選擇哪種方式制備，為什么？

區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高，因?yàn)楹趿康汀?br /> 8英吋以上的硅片，選擇CZ法制備，晶圓直徑大。

4.問答題化學(xué)機(jī)械平坦化的工作機(jī)理是什么？與傳統(tǒng)平坦化方法相比，它有哪些優(yōu)點(diǎn)？

5.問答題Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中能否用作層間介質(zhì)，為什么？請舉兩例說明Si3N4在集成電路工藝中的應(yīng)用。