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問答題什么是負(fù)光刻膠？

負(fù)光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，未曝光區(qū)在顯影中除去，負(fù)膠多由長鏈高分子有機(jī)物組成

1.問答題顯影為何要進(jìn)行檢查？

區(qū)分哪些有很低可能性通過最終掩膜檢驗(yàn)的襯底，提供工藝性能和工藝控制數(shù)據(jù)，以及分揀出需要重做的襯底

2.問答題顯影檢查內(nèi)容有哪些？

檢查內(nèi)容：掩膜版選用是否正確、光刻膠層得質(zhì)量是否滿足要求、圖形的質(zhì)量、套刻精度是否滿足要求

3.問答題影響顯影的主要因素？

曝光時(shí)間、前烘的溫度和時(shí)間、光刻膠的膜厚、顯影液的濃度、顯影液的溫度、顯影液的攪動(dòng)情況

4.問答題光刻工藝包括哪些工藝？

底膜處理、涂膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕、去膠、檢驗(yàn)

5.問答題何為分辨率、對(duì)比度、IC制造對(duì)光刻技術(shù)有何要求？