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【簡答題】簡述Kossel模型和Frank模型要點。
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【簡答題】分別寫出均勻成核與非均勻成核的臨界晶核半徑、形核功,并說明為什么通常非均勻成核比均勻成核要容易?
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【簡答題】為什么實際區(qū)熔時,最初幾次要選擇大熔區(qū)后幾次用小熔區(qū)的工藝條件?
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【簡答題】分別寫出正常凝固過程、一次區(qū)熔過程錠條中雜質濃度CS公式,并說明各個物理量的含義。
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【簡答題】寫出BPS公式及各個物理量的含義,并討論影響分凝系數的因素。
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【簡答題】寫出合金Ⅳ由0經1-2-3的變化過程。
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【簡答題】什么是分凝現(xiàn)象?平衡分凝系數?有效分凝系數?
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【簡答題】比較SiHCl
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氫還原法和硅烷法制備高純硅的優(yōu)缺點。
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【簡答題】為什么說有一天,硅微電子技術可能會走到盡頭?
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【簡答題】半導體的基本特性是什么?
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【簡答題】若P型硅中摻入受主雜質,E
F
是升高還是降低?若n型硅中摻入受主雜質,E
F
是升高還是降低?
答案:
P型硅中摻入受主雜質,EF降低。費米能級是電子填充水平的標志,向P型硅中摻入受主雜質,隨雜質濃度的增加,載流子濃度增加,...
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