問(wèn)答題為什么TTL與非門(mén)不能直接并聯(lián)？
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明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型：判斷題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}