問答題四管與非門中,如果高電平過低,低電平過高,分析其原因,如與改善方法,請說出你的想法。
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試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟,并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型:問答題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型:問答題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:單項(xiàng)選擇題
自由電子帶負(fù)電,空穴帶正電。
題型:判斷題
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:問答題
漂移運(yùn)動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型:問答題
在PN 結(jié)形成過程中,空穴的擴(kuò)散運(yùn)動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
題型:判斷題
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題