問答題相對于五管與非門六管與非門的結(jié)構(gòu)在那些部分作了改善，分析改進部分是如何工作的。
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試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。
題型：問答題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
題型：判斷題
發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)
題型：名詞解釋
因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。
題型：判斷題
OED/ORD
題型：名詞解釋
試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：問答題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認為0.7V。
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題型：問答題
在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題