多項選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級多晶硅的純度是()。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個N
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1.多項選擇題相對于其他半導(dǎo)體,硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在()。
A.工藝最先進
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
2.多項選擇題對第一只晶體管描述正確的是()。
A.是1947年Bell實驗室發(fā)明的
B.是Ge(鍺)晶體管
C.是Si(硅)晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
3.單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
4.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
5.單項選擇題根據(jù)擴散源的不同,有三種不同擴散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴散
B.液態(tài)源擴散
C.替位式擴散
D.氣態(tài)源擴散
最新試題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點,說法正確的是()。
題型:多項選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進行包裝,進而保護電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型:判斷題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:單項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
題型:單項選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題