多項(xiàng)選擇題相對于其他半導(dǎo)體，硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在（）。

A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大


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1.多項(xiàng)選擇題對第一只晶體管描述正確的是（）。

A.是1947年Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的

2.單項(xiàng)選擇題對摩爾定律描述不正確的是（）。

A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番

3.單項(xiàng)選擇題因?yàn)殡x子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為（）。?

A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷

4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散源的不同，有三種不同擴(kuò)散工藝，以下不是的是（）。?

A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散

5.單項(xiàng)選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積（預(yù)擴(kuò)散）、再分布（主擴(kuò)散）兩步，預(yù)淀積是惰性氣氛下的（）。?

A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散