單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是()。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
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1.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為()。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
2.單項選擇題根據(jù)擴(kuò)散源的不同,有三種不同擴(kuò)散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散
3.單項選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積(預(yù)擴(kuò)散)、再分布(主擴(kuò)散)兩步,預(yù)淀積是惰性氣氛下的()。?
A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
4.單項選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是()。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
5.單項選擇題固相擴(kuò)散是通過微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來實(shí)現(xiàn)的,主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是()。?
A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動
D.間隙—替位式擴(kuò)散
最新試題
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型:判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵,制造性能主要包括()。
題型:多項選擇題
倒裝芯片的連接方式有()。
題型:多項選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型:判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項選擇題
下列對焊接可靠性無影響的是()。
題型:單項選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說法正確的是()。
題型:多項選擇題