單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散源的不同,有三種不同擴(kuò)散工藝,以下不是的是()。?
A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散
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1.單項(xiàng)選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積(預(yù)擴(kuò)散)、再分布(主擴(kuò)散)兩步,預(yù)淀積是惰性氣氛下的()。?
A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是()。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類(lèi)型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
3.單項(xiàng)選擇題固相擴(kuò)散是通過(guò)微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來(lái)實(shí)現(xiàn)的,主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是()。?
A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動(dòng)
D.間隙—替位式擴(kuò)散
4.單項(xiàng)選擇題通過(guò)定域、定量擴(kuò)散摻雜,不能實(shí)現(xiàn)的目的是()。?
A.改變半導(dǎo)體導(dǎo)電類(lèi)型
B.改變電阻率
C.形成PN結(jié)
D.形成隔離
5.單項(xiàng)選擇題集成電路版圖設(shè)計(jì)中不是MOS管的可變參數(shù)是()。?
A.柵長(zhǎng)(gate_length)
B.氧化層厚度
C.柵寬(gate_width)
D.柵指數(shù)(gates)
最新試題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說(shuō)法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題